A Samsung acaba de alcançar mais uma marca e tanto para sua linha de memórias DRAM, anunciando ontem (5) que deu início oficialmente na produção em massa de memórias DDR4 de 8 GB com processo de apenas 10 nanômetros. Essa é a primeira vez na indústria que um processo de produção em escala tão pequena é alcançado, e promete um aumento de mais de 30% na eficiência do chip.
De acordo com o anúncio oficial, a empresa foi capaz de ultrapassar os obstáculos desse processo usando um sistema de litografia por imersão em fluoreto de argônio com molde quádruplo. O salto alcançado pela Samsung nessa área é o primeiro desde 2014, quando ela lançou suas memórias RAM com 4 GB e processo de 20 nm.
Como notamos anteriormente, a diferença no desempenho dessas novas memórias é grande. Para começar, ela alcança taxas de transferência de dados de 3.200 megabits por segundo – o que resulta nos já citados 30% de velocidade extra em comparação aos 2.400 Mbps das memórias DDR4 de 20 nm. Além disso, o novo processo ainda resulta em chips com um consumo que é de 10 a 20% menor do que seu antecessor.
Chegando em breve para PCs – e smartphones
Embora não tenha dado datas específicas, a Samsung afirmou que vai estender sua linha de memórias com os novos chips DRAM de 10 nm através do ano. Infelizmente, a tecnologia está limitada apenas aos PCs; a empresa revelou, porém, que espera trazer esse processo para suas memórias DRAM para dispositivos móveis. Resta esperar ansiosamente por isso.
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